
Formbearbeitung, Reinigung und Inspektion bilden das Ende der IMT-Prozesskette. Und auch hier bieten wir Ihnen eine breite Palette an Technologien und Prozessen. Für viele Anwendungen ist eine präzise Kantenlage zur aufgebrachten Mikrostruktur wichtig. Durch kontinuierliche Verbesserungen ist es uns heute möglich, eine Genauigkeit von Sägekante zu Struktur von < ±15 µm zu erzielen. Neben zahlreichen CNC-Maschinen nutzen wir Wafersägen aus der Halbleiterindustrie.
Wafersägen gehören in der Halbleiterindustrie zum Sägen von Siliziumchips zum absoluten Standard. Bei IMT werden identische Betriebsmittel zur Konfektionierung von Glaschips eingesetzt.
Substrat: alle Borosilikatgläser, kein Quarzglas
Substratdicke: ≥ 0,3 mm
Dimensionen: ø ≤ 200 mm
Geometrie: quadratisch, rechteckig
Kantenausbrüche: < 50 µm
Flankenwinkel der Sägekante: 90° ± 0,5°
Laser-Dicing-Technologie stellt die nächste Generation der hochgeschwindigkeits- und hochpräzisen Scribe-and-Break-Verfahren dar.
Ein Ultrakurzpulslaser erzeugt eine hochpräzise Ritzlinie, während ein zweiter Laser lokal begrenzte thermische Spannungen induziert, um den Riss gezielt entlang der vorgegebenen Linie wachsen zu lasse. Dabei wird kein Material abgetragen.
Das Verfahren ist vollständig partikelfrei und benötigt keine Kühlmittel, wodurch makellose Oberflächen sowie eine hervorragende Schnittkantenqualität erzielt werden.
Substrate: transparente Materialien mit CTE > 3.0
Substratdicken: ≥ 0.2 mm
Dimensionen: ø ≤ 450 mm
Form: Freiform
Kantendefekte: < 50 µm

