
Im Bild erkennbar ist die charakteristische Topografie eines nasschemisch geätzen Kanals. Die Flanken sind abgerundet, und das Verhältnis Kanalbreite zu Kanaltiefe liegt bei 2:1.
Je nach Anwendung müssen optische Sender und Empfänger zum Schutz vor Umwelteinflüssen hermetisch abgedichtet werden. In den vergangenen Jahren hat sich das sogenannte TO-Gehäuse auf Chip-Level fest etabliert.
Auf Wafer-Level lassen sich mit Ätzverfahren ähnliche Strukturen sehr gut umsetzen. Die so strukturierten Wafer werden anschliessend auf den optischen Sensor-Wafer gebondet.
IMT fertigt auf Kundenwunsch 200-mm-Wafer, die sich anschliessend vom Kunden weiterverarbeiten lassen. Die minimale Waferdicke liegt bei 0,3 mm.

